Texas Instruments Distributore www.qycomp.com CSD25213W10
Numero di parte del produttoreCSD25213W10
fabbricanteTexas Instruments
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile73940 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati CSD25213W10.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte CSD25213W10
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (massimo) -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DSBGA (1x1)
Pacchetto / caso 4-UFBGA, DSBGA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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