Numero di parte del produttore | CSD23202W10 |
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fabbricante | Texas Instruments |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 22060 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | CSD23202W10.pdf |
Numero di parte | CSD23202W10 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | CSD23202W10 |
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