Numero di parte del produttore | CDBGBSC201200-G |
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fabbricante | Comchip Technology |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Array |
Quantità disponibile | 197640 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | CDBGBSC201200-G.pdf |
Numero di parte | CDBGBSC201200-G |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 25.9A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | CDBGBSC201200-G |
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