Numero di parte del produttore | BYV30JT-600PQ |
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fabbricante | WeEn Semiconductors |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
Quantità disponibile | 112690 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | BYV30JT-600PQ.pdf |
Numero di parte | BYV30JT-600PQ |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | BYV30JT-600PQ |
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