Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com BSP89H6327XTSA1
Numero di parte del produttoreBSP89H6327XTSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile140530 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 4SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BSP89H6327XTSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BSP89H6327XTSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio BSP89H6327XTSA1

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