Numero di parte del produttore | BSP149L6327HTSA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 81560 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | BSP149L6327HTSA1.pdf |
Numero di parte | BSP149L6327HTSA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | BSP149L6327HTSA1 |
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