| Numero di parte del produttore | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| fabbricante | ON Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistor - JFET |
| Quantità disponibile | 21840 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
| Numero di parte | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Scarico corrente (Id) - max | 10mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | 200 Ohms |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | 2SK3666-3-TB-E |
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