Taiwan Semiconductor Corporation Distributeur www.qycomp.com TSM200N03DPQ33 RGG
Référence fabricantTSM200N03DPQ33 RGG
FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible82570 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article TSM200N03DPQ33 RGG
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V
Puissance - Max 20W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PDFN (3x3)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange TSM200N03DPQ33 RGG

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Taiwan Semiconductor Corporation Distributeur

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