Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur www.qycomp.com TPN1600ANH,L1Q
Référence fabricantTPN1600ANH,L1Q
FabricantToshiba Semiconductor and Storage
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible97400 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article TPN1600ANH,L1Q
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 50V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids 0.001 KG
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Pièce de rechange TPN1600ANH,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur

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