STMicroelectronics Distributeur www.qycomp.com STGYA120M65DF2
Référence fabricantSTGYA120M65DF2
FabricantSTMicroelectronics
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible194970 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article STGYA120M65DF2
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 160A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Puissance - Max 625W
Échange d'énergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 420nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 66ns/185ns
Condition de test 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 202ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur MAX247™
Poids 0.001 KG
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