Référence fabricant | STG3P2M10N60B |
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Fabricant | STMicroelectronics |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
quantité disponible | 183640 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | STG3P2M10N60B.pdf |
Numéro d'article | STG3P2M10N60B |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
Type d'IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 19A |
Puissance - Max | 56W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 0.72nF @ 25V |
Contribution | Single Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SEMITOP®2 |
Package de périphérique fournisseur | SEMITOP®2 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | STG3P2M10N60B |
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