Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SIA778DJ-T1-GE3
Référence fabricantSIA778DJ-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible60210 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SIA778DJ-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 12V, 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
Puissance - Max 6.5W, 5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids 0.001 KG
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Vishay Siliconix Distributeur

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