Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur www.qycomp.com RN1911FETE85LF
Référence fabricantRN1911FETE85LF
FabricantToshiba Semiconductor and Storage
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
quantité disponible9350 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article RN1911FETE85LF
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur

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