ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NGTB30N60L2WG
Référence fabricantNGTB30N60L2WG
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible174020 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 600V 30A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NGTB30N60L2WG
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A
Puissance - Max 225W
Échange d'énergie 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 166nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 100ns/390ns
Condition de test 300V, 30A, 30 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 70ns
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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