ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NGTB03N60R2DT4G
Référence fabricantNGTB03N60R2DT4G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible53000 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 9A 600V DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NGTB03N60R2DT4G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 9A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A
Puissance - Max 49W
Échange d'énergie 50µJ (on), 27µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 17nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/59ns
Condition de test 300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 65ns
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange NGTB03N60R2DT4G

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