Référence fabricant | HN1B01FU-GR,LF |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices |
quantité disponible | 43540 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | HN1B01FU-GR,LF.pdf |
Numéro d'article | HN1B01FU-GR,LF |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Puissance - Max | 200mW, 210mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package de périphérique fournisseur | US6 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | HN1B01FU-GR,LF |
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