ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com HGTG5N120BND
Référence fabricantHGTG5N120BND
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible17690 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 21A 167W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article HGTG5N120BND
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 21A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Puissance - Max 167W
Échange d'énergie 450µJ (on), 390µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 53nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 22ns/160ns
Condition de test 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 65ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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