Référence fabricant | GPAS1006 MNG |
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Fabricant | Taiwan Semiconductor Corporation |
catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
quantité disponible | 151300 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | GPAS1006 MNG.pdf |
Numéro d'article | GPAS1006 MNG |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 10A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package de périphérique fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | GPAS1006 MNG |
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