GeneSiC Semiconductor Distributeur www.qycomp.com GA50JT17-247
Référence fabricantGA50JT17-247
FabricantGeneSiC Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible176400 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS SJT 1.7KV 100A
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article GA50JT17-247
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 583W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247
Paquet / cas TO-247-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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GeneSiC Semiconductor Distributeur

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