ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FGB40N60SM
Référence fabricantFGB40N60SM
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible10770 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 600V 80A 349W D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article FGB40N60SM
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Puissance - Max 349W
Échange d'énergie 870µJ (on), 260µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 119nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/92ns
Condition de test 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur TO-263AB (D²PAK)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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