ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FGA60N65SMD
Référence fabricantFGA60N65SMD
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible466621 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 650V 120A 600W TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article FGA60N65SMD
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Puissance - Max 600W
Échange d'énergie 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 189nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/104ns
Condition de test 400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 47ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3PN
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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