ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FDS3512
Référence fabricantFDS3512
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible80710 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FDS3512.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FDS3512
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids 0.001 KG
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