ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com EFC6612R-TF
Référence fabricantEFC6612R-TF
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible38000 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article EFC6612R-TF
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Not For New Designs
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur 6-CSP (1.77x3.54)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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