Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMN2005DLP4K-7
Référence fabricantDMN2005DLP4K-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible148630 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMN2005DLP4K-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 400mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur X2-DFN1310-6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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