Référence fabricant | DMN2029USD-13 |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 42650 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | DMN2029USD-13.pdf |
Numéro d'article | DMN2029USD-13 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | DMN2029USD-13 |
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