Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com BSO615CGHUMA1
Référence fabricantBSO615CGHUMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible199980 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BSO615CGHUMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-8
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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