| Référence fabricant | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| quantité disponible | 22000 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf |
| Numéro d'article | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
| Puissance - Max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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