Rohm Semiconductor Distributeur www.qycomp.com BSM180D12P3C007
Référence fabricantBSM180D12P3C007
FabricantRohm Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible9610 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionSIC POWER MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article BSM180D12P3C007
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Puissance - Max 880W
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Rohm Semiconductor Distributeur

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