| Référence fabricant | A2T18H455W23NR6 |
|---|---|
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
| quantité disponible | 13470 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | A2T18H455W23NR6.pdf |
| Numéro d'article | A2T18H455W23NR6 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Tension - Test | 31.5V |
| Note actuelle | 10µA |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | 1.08A |
| Puissance - Sortie | 56dBm |
| Tension - Rated | 65V |
| Paquet / cas | OM-1230-4L2S |
| Package de périphérique fournisseur | OM-1230-4L2S |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | A2T18H455W23NR6 |
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