| Número de pieza del fabricante | RN1910FE,LF(CT |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados |
| Cantidad disponible | 12880 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | RN1910FE,LF(CT.pdf |
| Número de pieza | RN1910FE,LF(CT |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Potencia - Max | 100mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | RN1910FE,LF(CT |
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