| Número de pieza del fabricante | MSM5117400F-60T3DR1 |
|---|---|
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 33350 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC DRAM 16M PARALLEL |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MSM5117400F-60T3DR1.pdf |
| Número de pieza | MSM5117400F-60T3DR1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | DRAM |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (4M x 4) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 110ns |
| Tiempo de acceso | 30ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MSM5117400F-60T3DR1 |
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