Hersteller-Teilenummer | SI5515DC-T1-GE3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 28610 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SI5515DC-T1-GE3.pdf |
Artikelnummer | SI5515DC-T1-GE3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.4A, 3A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SI5515DC-T1-GE3 |
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