Hersteller-Teilenummer | RQ3E120BNTB |
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Hersteller | Rohm Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 172870 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | RQ3E120BNTB.pdf |
Artikelnummer | RQ3E120BNTB |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | RQ3E120BNTB |
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