| Hersteller-Teilenummer | RN1702JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung |
| verfügbare Anzahl | 145960 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | RN1702JE(TE85L,F).pdf |
| Artikelnummer | RN1702JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket | ESV |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | RN1702JE(TE85L,F) |
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