Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler www.qycomp.com RN1130MFV,L3F
Hersteller-TeilenummerRN1130MFV,L3F
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
verfügbare Anzahl159760 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungTRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen RN1130MFV,L3F.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer RN1130MFV,L3F
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VESM
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil RN1130MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler

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