Hersteller-Teilenummer | RN1117MFV,L3F |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung |
verfügbare Anzahl | 79480 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | RN1117MFV,L3F.pdf |
Artikelnummer | RN1117MFV,L3F |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-723 |
Lieferantengerätepaket | VESM |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | RN1117MFV,L3F |
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