Infineon Technologies Verteiler www.qycomp.com IPS110N12N3GBKMA1
Hersteller-TeilenummerIPS110N12N3GBKMA1
HerstellerInfineon Technologies
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl38500 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPS110N12N3GBKMA1.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer IPS110N12N3GBKMA1
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4310pF @ 60V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil IPS110N12N3GBKMA1

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