| Hersteller-Teilenummer | IPG20N10S4L35AATMA1 |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 94090 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IPG20N10S4L35AATMA1.pdf |
| Artikelnummer | IPG20N10S4L35AATMA1 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Leistung max | 43W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-10 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | IPG20N10S4L35AATMA1 |
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