Hersteller-Teilenummer | GA10JT12-247 |
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Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 35120 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | TRANS SJT 1.2KV 10A |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | GA10JT12-247.pdf |
Artikelnummer | GA10JT12-247 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247AB |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | GA10JT12-247 |
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