Diodes Incorporated Verteiler www.qycomp.com DMT10H015LFG-13
Hersteller-TeilenummerDMT10H015LFG-13
HerstellerDiodes Incorporated
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl69490 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 100V 10A
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen DMT10H015LFG-13.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer DMT10H015LFG-13
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil DMT10H015LFG-13

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