Hersteller-Teilenummer | DMG6601LVT-7 |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 46670 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | DMG6601LVT-7.pdf |
Artikelnummer | DMG6601LVT-7 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
Leistung max | 850mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | DMG6601LVT-7 |
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