| Número da peça do fabricante | JAN1N5809US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoria de Produto | Diodos - Rectificadores - Único |
| Quantidade disponível | 158720 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | JAN1N5809US.pdf |
| Número da peça | JAN1N5809US |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 100V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 6A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 875mV @ 4A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 30ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SQ-MELF, B |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | B, SQ-MELF |
| Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 175°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | JAN1N5809US |
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