ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDC2612
Número da peça do fabricanteFDC2612
FabricanteON Semiconductor
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível62600 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados FDC2612.pdf

Atributos do produto

Número da peça FDC2612
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 234pF @ 100V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.6W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SuperSOT™-6
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
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