Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMN10H099SFG-7
Número da peça do fabricanteDMN10H099SFG-7
FabricanteDiodes Incorporated
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível28700 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados DMN10H099SFG-7.pdf

Atributos do produto

Número da peça DMN10H099SFG-7
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 980mW (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerDI3333-8
Pacote / Caso 8-PowerWDFN
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição DMN10H099SFG-7

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Diodes Incorporated Distribuidor

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