製造業者識別番号 | VS-GB100TP120N |
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メーカー | Vishay Semiconductor Diodes Division |
製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - モジュール |
利用可能な数量 | 190000 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | VS-GB100TP120N.pdf |
部品番号 | VS-GB100TP120N |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
IGBTタイプ | - |
構成 | Half Bridge |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 1200V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 200A |
電力 - 最大 | 650W |
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 5mA |
入力容量(Cies)@ Vce | 7.43nF @ 25V |
入力 | Standard |
NTCサーミスタ | No |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | INT-A-Pak |
サプライヤデバイスパッケージ | INT-A-PAK |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | VS-GB100TP120N |
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