| 製造業者識別番号 | SSM3J325F,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 91740 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM3J325F,LF.pdf |
| 部品番号 | SSM3J325F,LF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 150 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 600mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | S-Mini |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM3J325F,LF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM3J325F,LF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM3J325F,LF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM3J325F,LF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF2B7M3SC,L3F, DF5A3.6CJE(TE85L,F, DF5A3.6JE(TE85L,F), DF5A6.2CJE(TE85L,F, DF5A6.2JE(TE85L,F), DF2B6.8ACT,L3F, DF2S30FS,L3M, DF2S16FS,L3M, DF2S5.1FS,L3M, DF2B6.8AFS,L3M STF10N60M2, IRF840APBF, IRF840PBF, SUM110N10-09-E3, PSMN5R0-80PS,127, HUF75645S3ST, IRF6718L2TRPBF, IRFBE30PBF, FQP32N20C, IPB009N03LGATMA1.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。