| 製造業者識別番号 | SI1067X-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 149060 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI1067X-T1-GE3.pdf |
| 部品番号 | SI1067X-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 950mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 9.3nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 375pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 236mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89-6 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI1067X-T1-GE3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SI1067X-T1-GE3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SI1067X-T1-GE3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SI1067X-T1-GE3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MKP385310063JC02W0, MKP385318040JCA2B0, MKP385318040JCI2B0, MKP385318040JCM2B0, MKP385330016JCA2B0, MKP385330016JCI2B0, MKP385330016JCM2B0, MKP385339040JC02H0, MKP385339040JD02W0, MKP385343040JC02H0 SI8410DB-T2-E1, SQJA92EP-T1_GE3, SISS98DN-T1-GE3, SQJA04EP-T1_GE3, SI4431CDY-T1-E3, BUK7227-100B,118, SQJA82EP-T1_GE3, FDD86569-F085, STD64N4F6AG, FQD7N30TM.
購入 Vishay Siliconix SI1067X-T1-GE3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。