製造業者識別番号 | RN2110MFV,L3F |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス |
利用可能な数量 | 22560 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | RN2110MFV,L3F.pdf |
部品番号 | RN2110MFV,L3F |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100mA |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
周波数 - 遷移 | - |
電力 - 最大 | 150mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-723 |
サプライヤデバイスパッケージ | VESM |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | RN2110MFV,L3F |
QY Componentsには、最高の価格があります。 RN2110MFV,L3F, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 RN2110MFV,L3F, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます RN2110MFV,L3F, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス 私たちから。 といった 2SA1425-Y,T2F(J, 2SA1428-O,T2CLAF(J, 2SA1428-O,T2CLAF(M, 2SA1428-O,T2WNLF(J, 2SA1428-Y(T2TR,A,F, 2SA1428-Y,T2F(J, 2SA1428-Y,T2F(M, 2SA1429-Y(T2OMI,FM, 2SA1429-Y(T2TR,F,M, 2SA1680(F,M) UNR31AMG0L, UNR32A4G0L, UNR32AAG0L, UNR9112J0L, UNR9114J0L, UNR911LJ0L, UNR921AJ0L, UNR921NG0L, UNR9217J0L, UNR9219J0L.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。