| 製造業者識別番号 | JAN2N6798 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 27450 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | JAN2N6798.pdf |
| 部品番号 | JAN2N6798 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 420 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 42.07nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 |
| パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | JAN2N6798 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 JAN2N6798, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 JAN2N6798, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます JAN2N6798, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Microsemi Corporation 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Microsemi Corporation そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MXLP5KE170AE3, MXLP5KE170CA, MXLP5KE170CAE3, MXLP5KE17A, MXLP5KE17AE3, MXLP5KE17CA, MXLP5KE17CAE3, MXLP5KE18A, MXLP5KE18AE3, MXLP5KE18CA RU1C001UNTCL, DMN55D0UT-7, BSS84PWH6327XTSA1, RE1C001UNTCL, 2SK3018-TP, BS870-7-F, DMG1012TQ-7, RUM002N05T2L, 2V7002WT1G, NTK3043NT1G.
購入 Microsemi Corporation JAN2N6798 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。