製造業者識別番号 | IRFD113PBF |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
利用可能な数量 | 107950 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | IRFD113PBF.pdf |
部品番号 | IRFD113PBF |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 800 mOhm @ 800mA, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 200pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | IRFD113PBF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFD113PBF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFD113PBF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFD113PBF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA0402A470GXXAP31G, GA0402A560GXAAP31G, GA0402A560GXBAP31G, GA0402A560GXXAP31G, GA0402A680GXAAP31G, GA0402A680GXBAP31G, GA0402A680GXXAP31G, GA0402A820GXAAP31G, GA0402A820GXBAP31G, GA0402A820GXXAP31G IRFS3006TRL7PP, EPC8009, FDB024N06, IPP052NE7N3GXKSA1, STB270N4F3, IRF7759L2TRPBF, FQP3P50, IRF7779L2TRPBF, NDP6060L, IXTY01N100D.
購入 Vishay Siliconix IRFD113PBF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。